بسته
(0) سبد خرید
شما هیچ موردی در سبد خرید خود ندارید
دسته بندی محصولات
    فیلترها
    Preferences
    جستجو

    شماره تماس مشاوره و پشتیبانی 24 ساعته : 8746-373-0930 
    کلیه قیمت ها آپدیت و بروز میباشد

    تولید کننده: هایک سمی Hiksemi

    اس اس دی هایک سمی Hiksemi Wave (P) ظرفیت 512 گیگابایت

    تماس برای قیمت
    برند : هایک سمی فرم ظاهری : M.2 2280 ظرفیت : 512 گیگابایت نوع رابط : PCIe Gen 3.0
    دسترسی: 1 در انبار

    اس اس دی هایک سمی Hiksemi Wave (P) ظرفیت 512 گیگابایت

    نوع رابط : PCIe Gen 3.0

    ظرفیت : 512 گیگابایت - 512GB

    فرم فاکتور: M.2 2280

    پشتیبانی از NVMe

    نوع فلش3D NAND

    سرعت نوشتن تصادفی IOPS225K

    دمای عملکرد0 الی 70 درجه سانتی گراد

    سرعت خواندن اطلاعات2500 مگابایت بر ثانیه

    مصرف برق2.2 وات

    سرعت نوشتن اطلاعات1025MB/s

    حجم قابل نوشتن (TBW)120TB

    میانگین زمان بین خطاها (MTBF)1,500,000 ساعت

    دمای ذخیره سازی40- الی 85 درجه سانتی گراد

    سرعت خواندن تصادفی55K
    برچسب های محصول

    شماره تماس مشاوره و پشتیبانی 24 ساعته : 8746-373-0930 
    کلیه قیمت ها آپدیت و بروز میباشد