● ظرفیت : 1 ترابایت ● ساخت تایوان ● نوع درگاه اتصال : PCIe 4.0 x4 ●سرعت خواندن : 5000MB/s ● سرعت نوشتن :3900MB/s

● نوع رابط : M.2 ● فرم فاکتور : 2280 M.2 ● سرعت خواندن اطلاعات : 2350 مگابایت بر ثانیه ● سرعت نوشتن اطلاعات : 1700 مگابایت بر ثانیه

● فرم ظاهری : M.2 2280 ● ظرفیت : 256 گیگابایت ● رابط اتصالی : PCI-E 3.0 x4 ●NVMe : دارد

● فرم ظاهری : M.2 ● ظرفیت: 512گیگابایت ● سرعت خواندن: حداکثر تا 1700 مگابایت بر ثانیه ● سرعت نوشتن: حداکثر تا 1100 مگابایت بر ثانیه

● ظرفیت : ۵۱۲ گیگابایت ● سرعت نوشتن : ۱۳۰۰MB/s ● سرعت خواندن : ۳۳۰۰MB/s

ظرفیت : 256 گیگ ، 512 گیگ و 1 ترابایت نوع رابط : PCIe Gen3x4 سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 2050 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 1600 مگابایت بر ثانیه

● اس اس دی اینترنال msi M.2 nvme SPATIUM M480 ● ظرفیت های 1 ، 2 و 4 ترابایت ● سرعت خواندن و نوشتن متوالی 7000MB/s و 6800MB/s

● ظرفیت : 1 ، 2 و 4 ترابایت ● فرم فاکتور : M.2 2280 ● PCIe Gen5x4 , NVMe 2.0 ● هیتسینک از جنس آلومینیوم

اس اس دی اینترنال کورسیر مدل MP600 core Gen4 M.2 ظرفیت 1 و 2 ترابایت

● اس اس دی اینترنال M.2 ● ظرفیت 1 ترابایت ● سرعت خواندن متوالی7450 مگابایت بر ثانیه ● سرعت نوشتن متوالی6900 مگابایت بر ثانیه

اس اس دی اینترنال WD Black SN850 Heatsink M.2 در ظرفیت های 500 گیگابایت ، 1 ترابایت و 2 ترابایت

حافظه اس اس دی GIGABYTE AORUS 5000E 500GB